| Тип файла | APK |
|---|---|
| Версия | 1 |
| Издатель | EngineeringApps |
| Дата выпуска | 15 мая 2020 г. |
| Дата добавления | 15 мая 2020 г. |
| Требования ОС | Android |
| Требования | Requires Android 4.0 and up |
| Всего скачиваний | 0 |
| Цена | $1.49 |
Описание
* Полупроводниковое устройство, электронная схема состоит из материала, который не является ни хорошим проводником, ни хорошим изолятором.
* Полупроводниковые устройства — это не что иное, как электронные компоненты, использующие электронные свойства полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий и арсенид галлия, а также органических полупроводников.
Основные условия
о Полупроводник
о Диод
о Транзистор
o Биполярный переходной транзистор
о База
о коллектор
о Излучатель
o Интегральные схемы
В этом полезном приложении перечислены 160 тем с подробными примечаниями, диаграммами, уравнениями, формулами и учебными материалами, темы перечислены в 5 главах. Приложение должно быть для всех студентов инженерных наук и специалистов.
Отслеживайте свое обучение, устанавливайте напоминания, редактируйте учебный материал, добавляйте любимые темы, делитесь темами в социальных сетях.
Вы также можете вести блог о инженерных технологиях, инновациях, инженерных стартапах, исследовательской работе колледжей, обновлениях институтов, информационных ссылках на учебные материалы и образовательные программы со своего смартфона или планшета или на http://www.engineeringapps.net/.
Используйте это полезное инженерное приложение в качестве учебника, цифровой книги, справочного руководства по учебной программе, учебных материалов, проектной работы, делитесь своими взглядами в блоге.
Вот некоторые из тем, затронутых в приложении:
1. Эксперимент Хейнса-Шокли
2. Полупроводниковые материалы
3. Кристаллическая решетка
4. Кубические решетки
5. Самолеты и направления
6. Алмазная решетка
7. Объемный рост кристаллов
8. Рост монокристаллических слитков
9. Вафли
10. Эпитаксиальный рост
11. Парофазная эпитаксия
12. Молекулярно-лучевая эпитаксия
13. Носители заряда в полупроводниках.
14. Эффективная масса
15. Внутренний материал
16. Внешний материал
17. Электроны и дырки в квантовых ямах.
18. Уровень Ферми
19. Компенсация и нейтральность пространственного заряда
20. Дрейф и сопротивление
21. Оптическое поглощение
22. Фотолюминесценция
23. Электролюминесценция
24. Время жизни носителя и фотопроводимость.
25. Прямая рекомбинация электронов и дырок.
26. Косвенная рекомбинация; Ловушка
27. Стационарная генерация несущей; Квазифермиевские уровни
28. Фотопроводящие устройства
29. Диффузионные процессы.
30. Диффузия и дрейф носителей: встроенные поля
31. Диффузия и рекомбинация. Уравнение непрерывности
32. Стационарное введение носителя: длина диффузии
33. Градиенты на квазифермиевских уровнях.
34. Температурная зависимость концентрации носителей.
35. Влияние температуры и легирования на подвижность.
36. Эффекты сильного поля
37. Эффект Холла
38. Изготовление p-n переходов: термическое оксидирование.
39. Диффузия P-N перехода
40. Быстрая термическая обработка
41. Ионная имплантация
42. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)
43. Фотолитография
44. Офорт
45. Металлизация
46. Условия равновесия.
47. Равновесные уровни Ферми.
48. Объемный заряд на стыке
49. Соединения прямого и обратного смещения.
50. Инъекция носителя
51. Обратное смещение
52. Разбивка обратного смещения
53. Пробой Зенера
54. Лавинный срыв
55. Выпрямители
56. Пробойный диод
57. Переходные процессы и условия переменного тока
58. Переходный процесс обратного восстановления
59. Модель идеального диода
60. Влияние контактного потенциала на инъекцию носителя.
61. Переключение диодов
62. Емкость p-n переходов
63. Рекомбинация и генерация в переходной области.
64. Омические потери
65. Ступенчатые переходы
66. Переходы металл-полупроводник: барьеры Шоттки.
67. Текущие транспортные процессы
68. Термоэмиссионная теория.
69. Теория диффузии
70. Термоэмиссионно-диффузионная теория.
71. Исправление контактов
72. Туннельный ток
73. Инъекция миноритарных носителей
74. Туннельный диод MIS
75. Измерение высоты барьера
76. Измерение энергии активации.
77. Фотоэлектрические измерения
78. Омические контакты
Каждая тема снабжена диаграммами, уравнениями и другими формами графического представления для лучшего изучения и быстрого понимания.
Полупроводниковые устройства являются частью курсов инженерного образования и технологических программ различных университетов.